量子阱激光器瀏覽次數：724次  最近更新：2007-08-08 00:00:00

夾于寬帶隙半導體（如Ga1－xAlxAs）中間的窄帶隙半導體（如GaAs）起著載流子（電子和空穴）陷阱的作用。雙異質結半導體中，有源層厚度通常為100~200nm，其電性質和光學性質與體材料相同。但是隨著有源層厚度的減小，例如達到5~10nm時（僅約7~15倍原子直徑），載流子在垂直于有源層方向上的運動受到束縛，即從三維變成二維，使材料的電性質和光學性質產生劇烈的變化。結果，垂直于有源層方向上運動的載流子動能可量子化成分立的能級，這類似于一維勢阱的量子力學問題，因而這類激光器叫做量子阱激光器。