余金中瀏覽次數:285次 最近更新:2013-01-06 07:00:48
中文名:余金中
出生日期:0000-00-00
職業:半導體研究所學術委員、中國電子學會光電子學組學術委員
博士,研究員,博士生導師。湖北鄂州人。1965年中國科學技術大學物理系畢業,1967年半導體研究所研究生畢業,師從王守武院士。1982-1983、1987、1990-1991年留學日本理化學研究所和大阪大學,師從難波進教授,獲大阪大學工學博士學位。1992和2001年作為訪問學者在美國硅谷和德國斯圖加特大學工作和講學。 余金中現任半導體研究所學術委員、中國電子學會光電子學組學術委員,中國科學院研究生院、浙江大學、山東大學、廈門大學、北京工業大學、華僑大學和河北大學兼職教授,《半導體光電子》、《飛通光電子技術》雜志編委。美國國際光子工程協會 (SPIE)、中國光學學會會員和中國電子學會高級會員。 長期從事半導體光電子學研究,目前著重研究硅基光電子集成、硅基光波導器件和SiGe/Si異質結和器件的生長、制備和特性表征。主要學術業績為:一、首先在國內實現了短波長激光器的長壽命工作,促進了我國光通信的起步發展。主持長波長激光器實用化研發,成功地轉化為高技術產品。二、開展低能量無損傷干法刻蝕研究,創新采用低能量大離子束流,實現了無損傷高速率刻蝕,為低閾值長壽命半導體激光器的研制奠定了重要基礎。三、1996年至今致力于硅基光電子學研究,合作設計加工出高水平的UHV/CVD系統,指導研究生外延出高質量SiGe/Si量子結構和器件,相關結果已被國外多次進行報道,并多次在國際會議上作邀請報告。院四、在國內率先主持開展SOI光波導研究,成功做出MMI耦合器和MZI熱光型和電光型光開關,響應速度快,為國際先進水平。 先后獲科學院重大項目二等獎、科技進步二等獎和兩次國家科技進步二等獎。1992年起享受國務院頒發的政府特殊津貼,2001年獲中國科學院華為優秀研究生導師獎。發表論文150多篇,SCI和EI收錄分別為55篇和43篇,被他人SCI引用60次,著作和譯著各一本。培養碩士生3名、博士生15名。 完成/在研主要項目 1、國家基金委重大項目“光子集成基礎研究" 課題"IV族基能帶工程材料和器件應用研究”(1998-2002) 2、國家基金委重大項目"WDM全光網基礎研究",課題"WDM全光網關鍵器件及基礎材料研究"(1999-2003) 3、科技部973項目"支撐高速、大容量信息網絡系統的光子集成基礎研究" 課題"OXC關鍵集成器件及增益非線性與噪聲動力學"(2001-2005)4、科技部863項目"通信用光電子材料、器件與集成技術" 課題"硅基高速波導光開關及其集成技術" (2002-2005)
關鍵詞:、
參考信息: